氧分压对电子束蒸发SiO2薄膜机械性质和光学性质的影响

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【摘要】

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采用ZYGO MarkⅢ-GPI数字波面干涉仪、NamoScopeⅢa型原子力显微镜对不同氧分压下电子束蒸发方法制备的SiO2薄膜中的残余应力及表面形貌进行了研究,结果发现:随着氧分压的增

【作者】

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邵淑英范正修邵建达沈卫星江敏华

【机构】

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中科院上海光学精密机械研究所薄膜技术研究与发展中心,中科院上海光学精密机械研究所高功率激光物理国家实验室

【出处】

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光子学报

【发表日期】

：

2005年5期

【关键词】

：

SIO2薄膜氧分压残余应力表面形貌折射率电子束蒸发 SiO_2 filmsOxygen partial pressure Residual stres

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采用ZYGO MarkⅢ-GPI数字波面干涉仪、NamoScopeⅢa型原子力显微镜对不同氧分压下电子束蒸发方法制备的SiO2薄膜中的残余应力及表面形貌进行了研究,结果发现:随着氧分压的增大,薄膜中的压应力值逐渐减小,最后变为张应力状态;同时薄膜的表面粗糙度也随着氧分压的增大而逐渐增大.另外,折射率对氧分压也非常敏感,随着氧分压的增大呈现出了减小的趋势.这些现象主要是由于氧分压的改变使得SiO2薄膜结构发生了变化引起的.

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