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当X射线射入不同材料组成的界面时，在低牂材料的一侧将产生剂量增强。介绍了界面剂量增强效应的基本原理，并用MCNP蒙特-卡罗程序计算了钨-二氧化硅、钽-二氧化硅界面的剂量增强因子。计算结果表明在X射线能量为100～150keV时，界面附近二氧化硅一侧存在较大的剂量增强。
X射线在重金属－二氧化硅界面的剂量增强的模拟计算
【摘 要】
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当X射线射入不同材料组成的界面时，在低牂材料的一侧将产生剂量增强。介绍了界面剂量增强效应的基本原理，并用MCNP蒙特-卡罗程序计算了钨-二氧化硅、钽-二氧化硅界面的剂量增强
【机 构】
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中国工程物理研究院核物理与化学研究所,中国工程物理研究院应用电子学研究所
【出 处】
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强激光与粒子束
【发表日期】
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2001年1期
【基金项目】
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国防科工委预研项目
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