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首先阐述了MIC薄膜多晶硅材料动态镍吸杂技术的基本机理和主要工艺过程，然后以多晶硅薄膜晶体管（poly-Si TFT）为例研究了动态吸杂技术的应用.在研究金属诱导晶化多晶硅材料（MIC poly-Si）和以之为有源层的poly-Si TFT的过程中，发现在MIC多晶硅薄膜中含有部分残余的镍成份.而大部分存在于对撞晶界的残余镍成份会造成大量的缺陷，这将导致TFT器件性能乃至整个系统的稳定性和可靠性的降低.为了改善MIC薄膜及器件质量，我们采用磷硅玻璃（PSG）动态镍吸杂技术，有效地吸除镍，降低多晶硅中镍的残