【摘 要】
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为了研究PMOLED器件的物理特性,在Alq3主体材料中掺杂C545制备了PMOLED发光器件,其单象素结构为TO(120nm)/CuPc(12nm)/NPB(50nm)/Alq3:C545(30nm)/LiF(1nm)/Al(200nm),色坐标
【机 构】
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上海大学理学院物理系,上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系
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为了研究PMOLED器件的物理特性,在Alq3主体材料中掺杂C545制备了PMOLED发光器件,其单象素结构为TO(120nm)/CuPc(12nm)/NPB(50nm)/Alq3:C545(30nm)/LiF(1nm)/Al(200nm),色坐标为(0.276,0.589)。该器件的载流子注入模型,在起亮前符合热发射注入模型;起亮后满足遂穿注入模型。PMOLED能较好地满足朗伯定律,并具有响应速度快,视角宽,色彩保真度高等特性。
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