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基于非等温能量平衡传输模型，利用TCAD半导体器件仿真软件对N型插指背接触（IBC）单晶硅太阳电池反向输出特性进行了仿真研究。通过光电转换效率和反向热击穿特性对IBC太阳电池的性能进行综合评价。全面系统地分析了不同衬底电阻率、发射区表面浓度、发射结结深对IBC电池反向热击穿特性和转换效率的影响。借鉴双极功率半导体器件的抗二次击穿技术并应用于IBC电池，详细分析了发射区边缘刻蚀结构对IBC电池反向热击穿特性的影响。仿真结果表明：高晶硅衬底电阻率、低发射区表面浓度有利于改善IBC电池的反向热击穿特性，但不利于