用阳离子置换法制备汞系高温超导薄膜

来源 :南开大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:yughg
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介绍了最近发明的一种制备汞系高温超导薄膜的新方法—阳离子置换法.采用T1 系外延超导薄膜作为先驱薄膜,将T1 系超导薄膜在Hg 气氛下进行热处理,用Hg 置换先驱薄膜中的T1,进而生成Hg 系外延超导薄膜.用此方法,成功地在LaAlO3 (001)衬底上制做出了高质量的HgBa2CaCu2Ox 超导薄膜.X-光衍射θ-2θ扫描和极图测试表明,薄膜具有很纯的超导相和很好的外延结构.超导临界温度可达122K.在77K温度下,临界电流密度达到3.4×106 A/cm 2,在110K 温度下,临界电流密度仍可保持在0.7×106A/cm 2 . A new method for preparing high temperature superconducting mercury films, called cation exchange method, was recently introduced. The T1-based epitaxial superconducting thin film is used as a precursor film, the T1-based superconducting thin film is heat-treated under a Hg atmosphere, and the Hg-based epitaxial superconducting thin film is formed by replacing T1 in the precursor thin film with Hg. With this method, a high quality HgBa2CaCu2Ox superconducting thin film was successfully fabricated on LaAlO3 (001) substrate. X-ray diffraction θ-2θ scan and pole figure test showed that the film has a very pure superconducting phase and very good epitaxial structure. Superconducting critical temperature up to 122K. The critical current density reaches 3.4 × 106 A / cm 2 at 77K, and the critical current density can be maintained at 0.7 × 106A / cm 2 at 110K.
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