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利用电子束蒸镀在石英玻璃上制备出Ga掺杂的SnO2(SnO2∶Ga)薄膜。结合X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外-可见-近红外分光光度计和光致发光谱, 研究了不同退火温度对薄膜的结构与发光特性的影响。研究结果表明: 当退火温度超过500℃, 薄膜呈现四方金红石结构, 随着退火温度的提高, 晶粒尺寸增大, 薄膜的禁带宽度变宽, 发光强度逐渐增加, 成功制备出发蓝紫光的SnO2∶Ga薄膜。薄膜样品在700℃下退火后光致发光强度显著增强, 这是因为随着退火温度的升高, SnO2∶Ga薄膜的非辐射中心减少, 有利于发生辐射复合。