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文章采用电子束蒸发物理气相沉积（EB-PVD）技术在单晶si片上制备SiC薄膜，通过台阶仪（surface profiler）、原子力显微镜（AFM）、半导体综合测试仪、x射线衍射（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）对薄膜表面形貌、电学性能及其结构进行分析。结果表明：SiC薄膜越厚，表面平均粗糙度越低；退火温度越高，薄膜结晶质量越好；对SiC薄膜进行辐照的光频率越高，光电流越大。