【摘 要】
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离子注入过程中,注入离子在掩模边缘附近的分布决定MOS晶体管漏极区域处的电场强度,计算了70keV硼离子注入硅样品中不同掩模边缘离子密度等线,考虑了四阶矩下的杂质深度分布(
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离子注入过程中,注入离子在掩模边缘附近的分布决定MOS晶体管漏极区域处的电场强度,计算了70keV硼离子注入硅样品中不同掩模边缘离子密度等线,考虑了四阶矩下的杂质深度分布(无掩模情况)。合理选择掩模蚀刻工艺,可获得均匀性,高抗噪声度的器件中。同时也指出了太薄掩模材料对注入离子分布的影响。
During ion implantation, the distribution of implanted ions near the edge of the mask determines the electric field strength at the drain region of the MOS transistor. The density of ions at different mask edges in a 70 keV boron-implanted silicon sample is calculated. Taking the fourth moment Depth of impurity distribution (maskless case). Reasonable choice of mask etching process, get uniformity, high noise immunity in the device. The effect of too thin mask material on the ion implantation is also pointed out.
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