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本文采用附面层模型,对硅外延中的自稀释现象作了理论分析,分析了生长速率、气体流速及外延生长温度等因素对自稀释的影响.提出了克服自稀释现象的几种方法.
硅外延中自稀释现象的研究
【摘 要】
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本文采用附面层模型,对硅外延中的自稀释现象作了理论分析,分析了生长速率、气体流速及外延生长温度等因素对自稀释的影响.提出了克服自稀释现象的几种方法.
【机 构】
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南京电子器件研究所,南京电子器件研究所210016,210016
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1991年1期
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