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利用磁控溅射方法在单晶Si基底上沉积三元系铁电薄膜6％PMnN-94%5PZT（6％Pb（Mn1/3，Nb2／3）O3—94％Pb（Zr0.52，Ti0.48）O3），采用淬火方法对薄膜进行处理，以促进薄膜钙钛矿结构形成。同时，在相同条件下制备非掺杂PZT（52／48）薄膜以对比薄膜掺杂效果。运用X射线衍射（XRD）技术分析薄膜晶向及晶体结构，运用SawyerTower电路测试薄膜铁电性能，运用激光测振仪测试薄膜的压电系数。实验结果表明，所沉积薄膜为多晶钙钛矿结构铁电薄膜，薄膜铁电剩余极化Pr=23．7μ