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随着EEPROM存储器件在太空和军事领域的广泛应用，国际上对EEPROM抗辐射性能的研究越来越多。为了达到提高存储器件抗辐射性能的目的，文章从版图设计的角度出发，首先分析了辐射对器件造成的影响，接下来分别介绍了基于FLOTOX和SONOS工艺的EEPROM器件特性，同时指出了在版图设计时需要注意的电压耦合比的问题。在设计中，利用管内隔离和管间隔离的方法，使得管内源／漏端和相邻两管源／漏端之间没有场氧介入，或是将场氧隔开，不让场区下形成漏电通道。设计出的EEPROM版图，不但满足了目前的工作需要，同时为以后