【摘 要】
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采用直流等离子体财流CVD法在硬质合金基体上沉积了多晶金刚石薄膜，借助XRD、Raman光谱、SEM和EPMA等对金刚石薄膜及膜-基界面的结构、形貌和成分进行了研究.结果表明，结晶度高
【机 构】
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采用直流等离子体财流CVD法在硬质合金基体上沉积了多晶金刚石薄膜，借助XRD、Raman光谱、SEM和EPMA等对金刚石薄膜及膜-基界面的结构、形貌和成分进行了研究.结果表明，结晶度高的刻面型金刚石薄膜质量、纯度较好，膜-基界面处较致密，机械锚固作用明显，结合性能较好沉积前后基体表面形貌变化很大，存在数十微米厚的脱钴-等离子体刻蚀层，等离子体刻蚀导致脱钻表面更加凹凸不平，为金刚石形核提供了有利条件.
The DC plasma CVD method was used to deposit polycrystalline diamond films on cemented carbide substrate. The structure, morphology and composition of diamond films and film - based interface were studied by XRD, Raman spectroscopy, SEM and EPMA. The results show that the faceted diamond films with high crystallinity have better quality, purity, dense film-base interface, obvious mechanical anchoring effect and better bonding performance. Of the cobalt removal - plasma etching layer, plasma etching led to the surface more uneven karst diamond nucleation provides favorable conditions.
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