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采用磁控溅射方法，在Si衬底和LiNbO3薄膜之间引入SiO2过渡层制备LiNbO3薄膜。采用X射线衍射（XRD〉、傅里叶变换红外吸收光谱（FT-IR）和扫描电子显微镜（SEM）对LiNbO3薄膜的结晶取向、组成成分和表面形貌进行了表征，重点研究了非晶态SiO2过渡层对LiNbO3薄膜C轴取向的影响。结果表明，非晶态SiO2过渡层为10-50nm时，在Si（100）衬底上制备的LiNb03薄膜的C轴取向随着过渡层厚度的增加而变强，但当过渡层超过30nm时，对LiNbO3薄膜C轴取向的影响变小；在Si（11