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通过分析静态随机访问存储器（Static Random Access Memorg，SRAM）型现场可编程门阵列（Field Programable Gate Array，FPGA）遭受空间单粒子翻转（SEU）效应的影响，并比较几种常见的抗SEU技术：三模冗余（Triple Module Redwcdancy，TMR）、纠错码（Error Correction Code，ECC）和擦洗（Scrubbing），提出了一种硬件、时间冗余相结合的基于双模块冗余比较的抗SEU设计方法。在FPGA平台上对线性反馈移