【摘 要】
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NEC公司光电研究实验室已制作出1.3μm的光电子集成,该光电集成电路是在InP衬底上光电集成LD和光电二极管,它可用于Gbit/s系统。1.3μm发射机由条形LD和双极驱动晶体管组成,
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NEC公司光电研究实验室已制作出1.3μm的光电子集成,该光电集成电路是在InP衬底上光电集成LD和光电二极管,它可用于Gbit/s系统。1.3μm发射机由条形LD和双极驱动晶体管组成,按收机由PIN光电管和FET组成。该组件工作于1.3μm波
NEC Optoelectronics Research Laboratory has produced a 1.3μm optoelectronic integration of optoelectronic integrated circuits that are optoelectrically integrated with LDs and photodiodes on InP substrates that can be used in Gbit / s systems. The 1.3μm transmitter consists of a bar LD and a bipolar driving transistor, which is made up of a PIN phototube and an FET depending on the receiver. This component operates at 1.3μm wave
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