【摘 要】
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采用密度泛函理论方法,运用平板模型对噻吩分子在PtNi2/Ni（111）表面的水平吸附进行了结构优化和能量计算.结果表明：bridge-hollow-1位的吸附最稳定,但是bridge位吸附对噻吩的影
【机 构】
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辽宁石油化工大学化学与材料科学学院
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采用密度泛函理论方法,运用平板模型对噻吩分子在PtNi2/Ni（111）表面的水平吸附进行了结构优化和能量计算.结果表明：bridge-hollow-1位的吸附最稳定,但是bridge位吸附对噻吩的影响最大.噻吩吸附在表面上时,S原子向上翘起,C原子与表面Ni原子的作用比与Pt原子紧密,表面原子与噻吩的匹配程度决定了吸附的强度和吸附后S—C键和C—C键的活泼性.噻吩以bridge-hollow-1和bridge位吸附时分子与表面之间的电子给予与反馈最多,分子最活泼,而且除了C（1）—S键以外,环上C（1）
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