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基于第一性原理计算得到了Zn-,Be-掺杂以及Zn-H-,Be-H-共掺杂的GaAs0.5P0.5材料的形成能、原子结构、能带结构、态密度以及复折射率。结果表明Zn原子更容易作为代位式掺杂原子存在,而Be原子更容易表现为间隙式掺杂原子。代位式的Be和Zn原子都作为受主杂质存在,使GaAs0.5P0.5材料呈现p型导电特性。然而间隙式Be原子使得费米能级进入导带,材料表现出n型导电特性。掺杂原子Zn和Be旁边加入H原子使