【摘 要】
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在烧结温度为1020℃下,采用固相二步合成法制备了Pb（Ni1/3Nb2/3）0.05（Mn1/3Nb2/3）0.04（Mn1/3Sb2/3）0.01（Zr1/2Ti1/2）0.9O3（PMNNS）压电陶瓷,研究了加入不同掺杂量的SiO2对陶瓷的结构与机
【机 构】
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暨南大学物理系,暨南大学思源实验室
【基金项目】
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广东省教育部产学研结合项目（2009B090300093）, 广州市科技计划基金资助项目（2008Z-D411）
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在烧结温度为1020℃下,采用固相二步合成法制备了Pb（Ni1/3Nb2/3）0.05（Mn1/3Nb2/3）0.04（Mn1/3Sb2/3）0.01（Zr1/2Ti1/2）0.9O3（PMNNS）压电陶瓷,研究了加入不同掺杂量的SiO2对陶瓷的结构与机电性能的影响。结果表明：加入SiO2可以明显地降低烧结温度;而且当SiO2的掺杂量为0.1%时,陶瓷的性能最佳,其性能如下：d33=331 pC/N,tanδ=0.0041,kp=0.62,Qm=1326,εr=917。
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