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摘要：通过正交实验设计，对Ga掺杂ZnO导电粉的制备工艺进行优化，确定出其最优参数为：掺杂比2m01％，反应温度85℃，反应时间10h，煅烧温度550℃。利用XRD、SEM和XPS对样品的性能进行检测，结果表明，按此条件制备的掺杂样品，经测量其电阻率为3．3×10^4Ω·cm。
Ga掺杂ZnO导电粉的制备与工艺优化
【摘 要】
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摘要：通过正交实验设计，对Ga掺杂ZnO导电粉的制备工艺进行优化，确定出其最优参数为：掺杂比2m01％，反应温度85℃，反应时间10h，煅烧温度550℃。利用XRD、SEM和XPS对样品的性能进行检测，结
【机 构】
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天津大学材料科学与工程学院,天津市材料复合与功能化重点实验室
【出 处】
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电工材料
【发表日期】
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2011年4期
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