【摘 要】
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在HgI2-HI-H2O溶液体系中,采用静电场诱导技术生长了HgI2晶体。利用紫外-可见光谱分析了溶液中分子/离子的存在形式;通过改变电场强度和溶液浓度等因素,得到了不同形貌的HgI2
【机 构】
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西安工业大学材料与化工学院,西北工业大学凝固技术国家重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金青年基金(No.21501139)资助项目
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在HgI2-HI-H2O溶液体系中,采用静电场诱导技术生长了HgI2晶体。利用紫外-可见光谱分析了溶液中分子/离子的存在形式;通过改变电场强度和溶液浓度等因素,得到了不同形貌的HgI2晶体。结果表明,HgI2-HI-H2O溶液中存在[HgI3]^-,[HgI4]^2-和HgI2等3种主要成分。静电场诱导离子发生定向迁移,形成取向性生长的晶体,晶体形貌受电场诱导和结构因素(分子键力)共同制约。溶质(负离子)向正极迁移,形成颗粒度大的HgI2晶体;负极主要是由中性HgI2键合并相变形成的小颗粒HgI2晶体。分
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