论文部分内容阅读
在衬底加热条件下利用磁控溅射法制备GezSbzTes薄膜，利用x射线衍射仪表征各种沉积温度下薄膜的结构，差示扫描量热法（IgSC）确定的薄膜晶化温度为168℃（加热升温速率为5℃／min）。用四探针法测试薄膜的方块电阻，分光光度计测试薄膜的反射率谱，并根据反射率数据讨论在波长为405和650nrn时薄膜的反射率对比度同沉积温度关系。结果表明：室温沉积的薄膜为非晶态；在衬底温度为140℃条件下薄膜已完全转变为晶态Ge2sb2Te5，在300℃时出现少量的六方相；低于140℃时易形成非Ge2sb2Te，组分的