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研究了有限深V型势阱折射率改变，并且利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代法导出了一次，三次谐波极化率系数。最后，以GaAs有限深V型势阱为例作了数值计算。数值结果表明，减少入射光强度，或增加电子浓度使总折射率改变变大．
有限深V型势阱中总折射率的改变
【摘 要】
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研究了有限深V型势阱折射率改变，并且利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代法导出了一次，三次谐波极化率系数。最后，以GaAs有限深V型势阱为例作了数值计算。数值结果表明，减少
【机 构】
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广州大学物理系
【出 处】
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光子学报
【发表日期】
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2006年7期
【基金项目】
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Supported by the National Natural Science Foundation ofChina （No. 60478010）,Science and Technology Committeeof Guangdong Province （ Nos. 2003c103021,2004B10301014 and 04105406 ） and Science andTechnol
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