【摘 要】
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采用单步电沉积法在Mo基底卜制备了高质量的CuInS_2薄膜.用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征了样品的结构和形貌,研究了沉积电位、退火温度、pH值、反应物浓度等工
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采用单步电沉积法在Mo基底卜制备了高质量的CuInS_2薄膜.用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征了样品的结构和形貌,研究了沉积电位、退火温度、pH值、反应物浓度等工艺条件对制备的CuInS_2薄膜形貌、组分及性能的影响.制备的CuInS_2薄膜致密平整,呈黄铜矿结构,晶粒大小为1-2μm.用紫外-可见光分光光度计测试了其光学性能,计算得到常温下禁带宽度为1.41 eV,非常适合用作薄膜太阳电池的吸收层材料.
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