【摘 要】
：
中航(重庆)微电子有限公司近日发布了基于硅基氮化镓(GaN-on-Si)晶片的氮化镓(GaN)MISHEMT功率器件N1BH60010A,这是国内首个8英寸GaN功率器件产品,成功实现了600V耐压及10A输
论文部分内容阅读
中航(重庆)微电子有限公司近日发布了基于硅基氮化镓(GaN-on-Si)晶片的氮化镓(GaN)MISHEMT功率器件N1BH60010A,这是国内首个8英寸GaN功率器件产品,成功实现了600V耐压及10A输出电流,可广泛用于PFC、DC/DC converter、DC/AC inverter等功率电子系统中,针对当下数码电子设备、家
China National Aviation Corporation (Chongqing) Microelectronics Co., Ltd. recently released N1BH60010A, a GaN-on-Si GaN-based power device, which is the first 8-inch GaN power device in China. To achieve the 600V voltage and 10A output current can be widely used in power electronic systems such as PFC, DC / DC converter, DC / AC inverter, for the current digital electronic devices, home
其他文献
受水利部委托,1996年9月17～20日水利水电规划设计总院在北京主持召开会议,对《黑河正义峡水利枢纽工程项目建议书》进行了技术审查。参加会议的有:水利部规划司、水政水资源
由南开大学主办、香港中文大学和天津师范大学协办的第七届形式语言学国际研讨会(The 7thInternational Conference on Formal Linguistics)将于2016年12月2日至4日在天津南
微波器件频率进入太赫兹,输能窗的厚度减小至一百甚至几十微米。常规的介质材料,或者多晶金刚石材料已经难以满足强度和真空密封性能的要求。为此设计并研制出一种新型微/超
一项前瞻性双盲对比试验的结果显示,与磁共振成像技术(MRI)相比,应用显像药物~(18)F-脱氧葡糖的正电子发射断层扫描(~(18)F-FDG-PET)与X射线计算机体层扫描(CT)结合的人体诊
病人女,61岁.左上腹胀痛不适2周,腹部CT提示脾脏占位性病变.于2002年2月在全麻下行剖腹探查.术中发现脾脏中上极实质内有一 9 cm×9 cm×9 cm肿块,行脾脏切除术.
By applying the empirical Green’s function method, we first proved that the source spectra in the middle eastern area of North Tianshan follow the ω -2 Brune
请下载后查看，本文暂不支持在线获取查看简介。
Please download to view, this article does not support online access to view profile.
特点:·扩展了锁相环器件所能达到的最高频率·可忽略附加相位噪声·分频器运行功耗低(典型值12mA@3V)简介许多应用需要合成3GHz以上的频率,而这个范围已超过了锁相环器件能
高职教育作为与社会经济发展联系最为紧密的一种教育类型,对于推动区域经济发展必须有敏锐反应和主动作为。湖南汽车工程职业学院作为一所主要以培养汽车人才的高职学校,在职
设计了一款用来偏置增强型和耗尽型A类低噪声放大器的电源芯片,通过自动校准外接放大器的栅压使其漏端电流保持恒定。芯片在温度、电源、工艺变化时实现了良好的偏置稳定性,