【摘 要】
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东芝公司首次试制了一种新颖结构的双极MOS FET,这种新结构的晶体管兼 备有MOS FET的高速响应及双极晶体管的大电流控制特性,器件可用于自动控制等要求大电流控制的地方。
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东芝公司首次试制了一种新颖结构的双极MOS FET,这种新结构的晶体管兼 备有MOS FET的高速响应及双极晶体管的大电流控制特性,器件可用于自动控制等要求大电流控制的地方。 本FET就是利用电压控制的MOSFET原理的电导率调变现象,考虑了漏极区域的低阻抗特性的器件。试制器件有耐压为500V和1,000V两个品种,通导
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