【摘 要】
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通过对传统半导体测量方式的改进和创新实现对半导体膜厚方向上电导率和Seebeck系数的测试.通过电子束微影技术（EBL）实现对矽晶片表面纳米孔洞阵列结构的合理排列,从而改善半导
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通过对传统半导体测量方式的改进和创新实现对半导体膜厚方向上电导率和Seebeck系数的测试.通过电子束微影技术（EBL）实现对矽晶片表面纳米孔洞阵列结构的合理排列,从而改善半导体界面的性质,以达到增加其导电性的目的.研究结果表明,如果在矽晶片表面建构方型孔洞阵列并且孔洞足够密集,比较退火处理的实验样品和不具孔洞阵列样品,在450℃作快速热退火处理的样品电导率最大.
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