高温存储下不同成分Sn—Pb凸点可靠性研究

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随着我国集成电路封装密度的不断提高,引线键合方式已无法满足需求,倒装焊技术逐渐成为高密度封装主流方向。高温存储对倒装焊凸点的可靠性有着重大影响,界面化合物及晶粒形态均会发生显著变化。以多种Sn—Pb凸点为研究对象,分析高温存储对凸点可靠性的影响,结果表明:lOSn90Pb凸点剪切强度波动幅度较小;Sn含量越高,高温存储后焊料界面处IMC层越厚,63Sn37Pb焊料界面IMC变化最为明显;63Sn37Pb凸点IMC生长速度较快,晶粒粗化现象较为严重。
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