Be掺杂对InGaAsN/GaAs量子阱性能的提高

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：sven321

【摘要】

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InGaAsN/GaAs量子阱中进行铍（Be）元素重掺杂能显著提高其光学性质,并且发光波长发生了红移.X射线衍射摇摆曲线清楚地证实了铍掺杂抑制了InGaAsN（Be）/GaAs量子阱在退火过程中的应

【作者】

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霍大云石震武徐超邓长威陈晨陈林森王文新彭长四

【机构】

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苏州大学光电信息科学与工程学院,苏州大学江苏省先进光学技术重点实验室,中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室

【出处】

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发光学报

【发表日期】

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2017年8期

【关键词】

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稀氮化物分子束外延量子阱应变弛豫 X射线衍射 dilute nitride molecular beam epitaxy quantum well str

【基金项目】

：

国家自然科学基金（11504251,51302179）,江苏高校优势学科建设工程,科技部国际合作项目（2013DFGl2210）,江苏省高校自然科学研究重大项目（12KJAl40001）,江苏省普通高校研究生科研创新计划（KYLXl5_1252）资助项目

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InGaAsN/GaAs量子阱中进行铍（Be）元素重掺杂能显著提高其光学性质,并且发光波长发生了红移.X射线衍射摇摆曲线清楚地证实了铍掺杂抑制了InGaAsN（Be）/GaAs量子阱在退火过程中的应力释放.对比退火前,退火后的没有进行铍掺杂的量子阱样品的量子阱的X射线摇摆曲线衍射峰明显向GaAs衬底峰偏移;而对于掺铍的量子阱样品而言,这样的偏移要小很多.

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