Φ200mm太阳能用直拉硅单晶生长速率研究

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介绍了Φ200mm的太阳能用直拉硅(cz蛳)单晶生长中,采用热屏、复合式导流系统及双加热器改造直拉炉的热系统,进行不同热系统下的拉晶试验,平均拉速从0.6mm/min提高到0.9mm/min。用有限元法模拟了氩气的流场及单晶炉的热场,模拟结果表明:改造后的氩气流场被优化,界面附近的晶体纵向温度梯度增加,熔体纵向温度梯度减小。
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