IGBT的Prote l99se简化模型及仿真

来源 :电力系统及其自动化学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：dulcimerqin

【摘要】

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本文提出一种简便的模拟绝缘栅双极性晶体管(IGBT-Insulated Gate Bipolar Transistor)的方法,利用外部特性参数提取、换算模型参数,通过建立Protel 99SE中的数据库项,能够对

【作者】

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【机构】

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山西师范大学临汾041004

【出处】

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电力系统及其自动化学报

【发表日期】

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2003年3期

【关键词】

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本文提出一种简便的模拟绝缘栅双极性晶体管(IGBT-Insulated Gate Bipolar Transistor)的方法,利用外部特性参数提取、换算模型参数,通过建立Protel 99SE中的数据库项,能够对任意新型号的IGBT进行仿真.文中给出一个实际器件的模拟结论,验证了方法的可行性.

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