八-羟基喹啉铝薄膜光致发光的厚度依赖性质

来源 :化学物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:nicoljoe001
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通过原位测量对八-羟基喹啉铝薄膜(Alq3)光致发光的厚度依赖性质进行了研究.在Alq3向玻璃衬底沉积的初始阶段,Alq3光致发光谱峰发生了显著红移,此后谱峰随着Alq3厚度的增加红移变缓并趋于饱和.Alq3薄膜厚度从2 nm逐渐变化到500 nm时,Alq3谱峰位总红移约为12 nm.这种Alq3薄膜沉积的初始阶段Alq3谱峰的显著红移可归因于二维激子向三维激子态的转变.同时,由于激子同衬底的相互作用所引起的非辐射衰变,在Alq3沉积的初始阶段Alq3光致发光谱峰的强度呈现不同的变化,随后该谱峰的强度随
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