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为了更深入的了解GaAs经氢离子注入后的剥离特性，实验研究了GaAs晶片经6×10m／cm^2剂量氢离子以不同能量注入，再经过不同温度和不同时间的退火过程后，晶片表面的剥离情况。研究表明：注入能量小的晶片较容易表面剥离，当注入能量大到一定程度，表面将不会出现剥离的现象；在相同的注入能量情况下，GaAs晶片的表面剥离随着退火温度的升高、退火时间的增加变得更加的显著。晶片在300℃下退火后，未发现有剥离现象，实验发现GaAs的临界剥离温度在300—400℃之间。研究结果有助于优化GaAs／Si异质结