【摘 要】
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应用材料公司发布了基于Applied Centura~(?)Silvia~(TM)刻蚀系统的最新硅通孔刻蚀技术。新的等离子源可将硅刻蚀速率提高40%,快速形成平滑、垂直且具有高深宽比的通孔结构。
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应用材料公司发布了基于Applied Centura~(?)Silvia~(TM)刻蚀系统的最新硅通孔刻蚀技术。新的等离子源可将硅刻蚀速率提高40%,快速形成平滑、垂直且具有高深宽比的通孔结构。这一高水平的杰出性能使Silvia系统首次将每片硅片的通孔刻蚀成本降低到10美元以下,帮助芯片制造商将先进的3D-IC设计引入市场,进而推动未来高性能移动器件的发展。
Applied Materials has released the latest silicon via etch technology based on Applied Centura’s Silvia ™ etching system. The new plasma source increases the silicon etch rate by 40% and rapidly forms a smooth, vertical through-hole structure with a high aspect ratio. This high level of outstanding performance has reduced Silvia’s system cost of via etch per wafer to under $ 10 for the first time, helping chipmakers bring advanced 3D-IC designs to the market, driving the future of high performance mobile devices development of.
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