【摘 要】
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为了解决现有硅刻蚀工艺中存在的刻蚀质量等问题，采用激光加工技术和电化学加工技术相结合的工艺对硅进行了刻蚀，研究了该复合工艺的工艺特性。实验中采用248nmKrF准分子激光作
【机 构】
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华中科技大学机械科学与工程学院,桂林电子工业学院机电与交通工程系
【基金项目】
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国家高技术研究发展计划资助项目(2002AA421190);国家重点基础研究发展计划资助项目(2003CB716207);国家自然科学基金资助项目(50405033)
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为了解决现有硅刻蚀工艺中存在的刻蚀质量等问题，采用激光加工技术和电化学加工技术相结合的工艺对硅进行了刻蚀，研究了该复合工艺的工艺特性。实验中采用248nmKrF准分子激光作光源聚焦照射浸在KOH溶液中的阳极n—Si上，实现激光诱导电化学刻蚀。在实验的基础上，研究了激光电化学刻蚀Si的刻蚀孔的基本形貌，并对横向刻蚀和背面冲击等质量问题进行了分析。结果表明，该工艺刻蚀的孔表面质量好、垂直度高；解决了碱液中Si各向异性刻蚀的自停止问题，具有加工大深宽比微结构的能力；也具有不需光刻显影就能进行图形加工的优越性。
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