【摘 要】
：
研究了先用Murakami剂浸蚀WC相、再用(H2O2+H2SO4)酸混合液除去Co相的2步法浸蚀YG6硬质合金基体表面预处理的过程; 并在浸蚀过的硬质合金基体上, 用热丝法沉积了金刚石薄膜.
【机 构】
：
中南大学材料科学与工程系,中南大学,湖南银洲有色高技术有限公司
【基金项目】
：
湖南银洲有色高技术有限公司资助项目
论文部分内容阅读
研究了先用Murakami剂浸蚀WC相、再用(H2O2+H2SO4)酸混合液除去Co相的2步法浸蚀YG6硬质合金基体表面预处理的过程; 并在浸蚀过的硬质合金基体上, 用热丝法沉积了金刚石薄膜. 结果表明: 2步浸蚀法可在基体表面深度为6 μm～12 μm的范围内, 使Co含量从6%降低到0.54%～3.22%, 并使硬质合金基体的表面粗糙度增加到Ra=1.0 μm, 但会导致硬质合金基体表面的硬度从89.9 HRA降低至88.1 HRA; 在该硬质合金基体沉积金刚石薄膜之后, 发现金刚石薄膜试样的组织结构
其他文献
讨论了世界微波互用接入（M—WiMAX）系统和宽带扩频多址接入（WCDMA）系统之间的共同存在问题。为了减少M—WiMAX系统对WCDMA系统的干扰，在M—WiMAX的基站端使用了自适应发送端波束成
计算了一维XY海森堡模型的基态纠缠度并作相关分析，为量子通信和量子计算提供启示性信息。将von Neumann熵定义的纠缠度与模型的基态本征矢建立联系计算出该模型体系的基态纠
对一维海森堡链格点中不同电子自旋交换如何构成及所构成的能量矩阵进行讨论，为纠缠度和量子计算提供重要依据。研究方法是：一维海森堡链格点被电子填充分为单、双占据及二者共
工艺成熟稳定，晶体光学均匀性好，成品率高，生长条件宽松等优点，决定了目前KTP晶体多采用助溶剂法生长。但是，由晶体的生长习性决定此法生长的KTP晶体a方向尺寸小，大尺寸器件的应用
给出了具有椭球边界量子棒经过坐标变换成球形边界的哈密顿量。采用线性组合算符和幺正变换的方法研究了在非均匀抛物限制势下量子棒中强耦合磁极化子的性质。导出了量子棒中
应用新型化学涂层工艺(置换法),成功地制备出结合紧密、光滑的Ni涂SiC粉末;分析对比了2种不同涂层工艺原理及涂层效果;分析了不同SiC增强Al-Fe-V-Si(0812)复合材料物理和力学
半导体激光器（LD）驱动电源的性能是影响其工作特性的重要因素，提高LD驱动电源性能的研究具有重要意义。提出了一种新型的基于现场可编程门阵列（FPGA）技术的半导体激光器驱动电源设
用柠檬酸络合物型溶胶-凝胶法制备了CeAl:DyIG磁光薄膜.利用DTA分析了材料的制备过程,用AFM观察了薄膜的表面形貌,以及用XRD分析了不同晶化温度的薄膜结构.测试了薄膜样品的