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以N管阈值电压作为表征参数，对典型CMOS器件CC4007在稳态和脉冲吖辐射下的辐射效应与退火特性进行了实验研究，初步探讨了辐射损伤与退火机理。为满足实验需要，设计了抗闭锁辐照实验系统和弱电流测试电路。研究结果表明，CMOS器件在稳态和脉冲γ辐照下产生的损伤效应和退火特性具有明显差异，相同累积剂量条件下，稳态辐照产生的器件损伤明显大于脉冲辐照；相同退火时间时，脉冲辐照退火快于稳态辐照。