【摘 要】
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在１６～４００Ｋ的温度范围内，测量了用常压ＣＶＤ方法制备的氟掺杂绒面ＳｎＯ２薄膜的霍耳效应，研究了膜的电导率，载流子浓度和迁移率等电导参数对制备条件的依赖关系．电导对温度的依赖关系表明：简并的，晶粒较
【机 构】
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山东大学物理系，山东大学光电材料与器件研究所
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在１６～４００Ｋ的温度范围内，测量了用常压ＣＶＤ方法制备的氟掺杂绒面ＳｎＯ２薄膜的霍耳效应，研究了膜的电导率，载流子浓度和迁移率等电导参数对制备条件的依赖关系．电导对温度的依赖关系表明：简并的，晶粒较大的多品ＳｎＯ２∶Ｆ膜，在低于１００Ｋ的温度范围内，以电离杂质散射为主，在高于１００Ｋ的温度范围内，主要的散射机构是晶格散射．
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