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离子注入自70年代实用化以来已发展成半导体工艺的基础技术之一，在VLSI制造工艺中，离子注入的主要作用是改变衬底的电学特性，其最重要的用途是调整MOS器件的阈值电压，形成源漏，减小接触电阻及寄生电容等，与扩散相比离子注入具有掺杂离子纯度高，掺杂量精确，深度控制准确，处理温度低及不易发生横向扩散等优点，就目前的技术而言，离子注入在面内均一性，再现性等方面都能达到0.5%以下，即使在10^11数量级时仍有良好的均一性和再现性，目前离子注入是该数量级搀杂的唯一手段，下面就离子注入的基本概念和今后的趋势作一简单概