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本文设计一种用锑化铟-铟-铟（InSb—In）共晶体薄膜磁敏电阻（MR）制成的双限温控器。实验表明，用InSb—In磁敏电阻作感温磁头设计的此温控器，具有灵敏度高，控温范围宽的优点，实验证明在低温区其灵敏度可以高达30mV／℃以上，常温下也可达到23mV／℃左右；其上下限温度调整范围可以从-40℃到＋120℃之间；测温精度可达到4-0．1℃；另外它还具有性能稳定和对材料要求低等诸多优点，是一种值得推广应用的新型材料温度开关。