论文部分内容阅读
CdTe是GaAs衬底上分子束外延（MBE）HgCdTe薄膜时的缓冲层，引入缓冲层的目的是减小失配位错，CdTe缓冲层的生长直接影响到后续HgCdTe薄膜的制备质量，然而目前现有文献鲜有报道CdTe缓冲层的最佳厚度。采用X射线双晶衍射、位错腐蚀坑密度（EPD）、FT-IR和椭圆偏振光谱的方法，从CdTe缓冲层厚度对位错密度的影响入手，分析并确定了理想NCdTe缓冲层厚度。