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对不同电阻率硅片射频微带电路S参数进行了模拟研究.建立了5层结构的微带电路物理结构模型,对两种电阻率硅片上不同尺寸(2×10-5m到20×10-5m)微带线1～10 GHz频率范围内的S11和S21参数进行模拟计算.研究结果表明:减少低电阻率硅片(3～8 Ω穋m)线条宽度对减小信号反射和提高传输有益;高电阻率硅片(130～150 Ω穋m)上细线条尺寸微带电路信号反射和提高传输特性也更好.频率越高,高阻硅片微带电路的高频性能更好.