在多工位炉上CeO2：Bi12SiO20单晶生长的研究（Ⅱ）—空间生长实验部分

来源 :无机材料学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：pigdd

【摘要】

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掺Ce:Bi12SiO20单晶在神舟3号(SZ-3)飞船上成功地进行了空间生长,得到晶体尺寸为φ10mm×40mm.将空间生长的晶体和地面生长晶体对比发现:空间生长晶体的外观同地面生长晶

【作者】

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周燕飞王锦昌唐连安陈诺夫陈万春

【机构】

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中国科学院上海硅酸盐研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院物理研究所

【出处】

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无机材料学报

【发表日期】

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2004年2期

【关键词】

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CeO2:Bi12SiO20晶体掺铈硅酸铋晶体生长微重力多工位炉喇曼光谱光学性能空间生长实验 doped cerium bismuth silic

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掺Ce:Bi12SiO20单晶在神舟3号(SZ-3)飞船上成功地进行了空间生长,得到晶体尺寸为φ10mm×40mm.将空间生长的晶体和地面生长晶体对比发现:空间生长晶体的外观同地面生长晶体有明显差异.分析测试空间和地面晶体的X射线摇摆曲线、吸收曲线和喇曼光谱,结果表明:空间生长掺Ce:BSO晶体的结构完整性优于地面生长的晶体,掺Ce对BSO晶体光学性能的影响空间制备晶体要大于地面制备的晶体

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