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随着集成电路向多层结构方向的发展,对芯片进行失效分析必须解决多层结构下层的可观察性和可测试性.本文介绍了失效分析中去钝化层、金属化层和层问介质等的各种方法,包括湿法腐蚀、反应离子刻蚀和FIB刻蚀等方法,结合图例进行剥层前后对比分析,并通过实例说明剥层技术在集成电路失效分析中的重要作用。
芯片剥层技术在集成电路失效分析中的应用
【摘 要】
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随着集成电路向多层结构方向的发展,对芯片进行失效分析必须解决多层结构下层的可观察性和可测试性.本文介绍了失效分析中去钝化层、金属化层和层问介质等的各种方法,包括湿
【机 构】
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工业与信息化部电子第五研究所,电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广东,广州,510610
【出 处】
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第十三届全国可靠性物理学术讨论会
【发表日期】
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2009年10期
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