【摘 要】
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针对静电放电(ESD)防护过程中ESD防护器件开启速度慢、易引起栅氧击穿或电路烧毁的问题,提出了一种可控硅(SCR)结构的ESD防护器件开启速度的优化方法。首先,基于0.35μm Bipo
【机 构】
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物联网技术应用教育部工程中心江南大学电子工程系;
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(61504049);江苏省自然科学基金资助项目(BK20150156);2017年江苏省研究生科研创新计划资助项目(KYCX17_1487)
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针对静电放电(ESD)防护过程中ESD防护器件开启速度慢、易引起栅氧击穿或电路烧毁的问题,提出了一种可控硅(SCR)结构的ESD防护器件开启速度的优化方法。首先,基于0.35μm Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺制备了P~+浮空和P~+接地SCR结构器件,通过分析阱间距对P~+接地SCR影响,获知当阱间距增至8.68μm时,器件开启速度快且过击穿电压低。其次,对比分析关键尺寸参数相同条件下P~+接地与P~+浮空SCR器件ESD防护性能,传输线脉冲测试结果表明,P~+浮空比P~+接地SCR开启速度更快。最后,通过进一步优化P~+浮空SCR器件特征参数,器件开启速度可提高约17.70%。TCAD仿真结果证明:与P~+接地SCR相比,P~+浮空SCR的电流密度分布较均匀,且导通时间短,有利于提高开启速度,因此P~+浮空SCR器件更适用于高速集成电路的ESD防护。
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