一种高性能CMOS带隙电路的设计

来源 :微电子学与计算机 | 被引量 : 0次 | 上传用户：roubaozi320

【摘要】

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文章提出一种CMOS带隙参考源(BGR)电路设计,它可以在很宽的电压范围内有效的工作.能够在[2.8V,10V]范围内实现稳定工作.抗干扰能力强,结构相对简单,由CMOS运放、二极管以及电

【作者】

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杨丰林沈绪榜

【机构】

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华中科技大学图像信息处理智能控制教育部重点实验室,西安微电子技术研究所

【出处】

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微电子学与计算机

【发表日期】

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2002年12期

【关键词】

：

高性能CMOS带隙电路设计模拟集成电路带隙电路锁相环 Bandgap circuit CMOS PLL

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文章提出一种CMOS带隙参考源(BGR)电路设计,它可以在很宽的电压范围内有效的工作.能够在[2.8V,10V]范围内实现稳定工作.抗干扰能力强,结构相对简单,由CMOS运放、二极管以及电阻组成,用常规的0.6umCMOS工艺制作.在模拟环境下仿真结果表明其最小工作电压为2.75V,完全能够满足锁相环设计的要求.

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