【摘 要】
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采用射频磁控反应溅射技术制备了a-Si/SiNx超晶格材料,并采用热退火技术对材料进行处理。利用吸收光谱和X射线衍射谱对材料进行表征,结果表明Si层呈现非晶态。为研究材料的三
【机 构】
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南京理工大学紫金学院电子工程与光电技术学院,中国药科大学理学院
【基金项目】
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江苏省高校自然科学研究项目（14KJD470005）资助
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采用射频磁控反应溅射技术制备了a-Si/SiNx超晶格材料,并采用热退火技术对材料进行处理。利用吸收光谱和X射线衍射谱对材料进行表征,结果表明Si层呈现非晶态。为研究材料的三阶非线性光学特性,对材料进行Z扫描研究,测量数据表明,材料的非线性吸收为反饱和吸收,材料非线性折射率呈现为负值,该材料的χ（3）的实部为4.57×10-17C（1.39×10-7esu）,虚部为1.49×10-17C（4.48×10-8esu）,该极化率数值比体硅材料的χ（3）值大5个数量级。对
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