【摘 要】
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近年来,二维材料(2D materials)突触晶体管器件由于其维度低、可同时读写操作、效率高等优势,受到了研究者的广泛关注。然而,由于二维材料的工艺兼容性、重复性以及复杂的转
【机 构】
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福州大学至诚学院,福建卫生职业技术学院,福建省建筑科学研究院
【基金项目】
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福建省教育厅中青年教师教育科研项目(JT180812),海峡两岸职业教育专项研究课题(FJJKHX17-072)资助项目
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近年来,二维材料(2D materials)突触晶体管器件由于其维度低、可同时读写操作、效率高等优势,受到了研究者的广泛关注。然而,由于二维材料的工艺兼容性、重复性以及复杂的转移过程,它的实现仍然是一个巨大的挑战。本文采用简单的提拉法工艺,实现了超薄铟镓锌氧化物(In-Ga-Zn-O,IGZO)半导体层(小于8 nm)的突触晶体管,其工作电压低至3 V;并成功地模拟了重要的生物突触行为,包括兴奋性后突触电流(EPSC)、双脉冲易化(PPF)以及突触长程增强(LTP)等。在超薄半导体薄膜条件下,由于缺陷的增
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