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针对半导体制造流程中氧化、扩散、退火炉的Profile温度控制方法存在温度过冲大的问题，提出了Profile控制＋前馈方式控制管内温度的新方法。将该方法应用于Thermco9000扩散炉，使温度过冲由5℃左右减小到0．5℃以下，且恒温时间从25min减小到20min。
一种提高扩散氧化炉温度控制精度的方法
【摘 要】
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针对半导体制造流程中氧化、扩散、退火炉的Profile温度控制方法存在温度过冲大的问题，提出了Profile控制＋前馈方式控制管内温度的新方法。将该方法应用于Thermco9000扩散炉，使
【机 构】
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中国电子科技集团公司第二十四研究所
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2009年3期
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