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用无杂质空穴扩散（ Ｉ Ｆ Ｖ Ｄ） 法研制了延伸光腔分立电极 Ｉｎ Ｇａ Ａｓ／ Ｉｎ Ｐ 半导体激光器。激光器材料的光发光谱说明由 Ｉ Ｆ Ｖ Ｄ 法可以造成量子阱材料带隙蓝移（３０ ～４０）ｎ ｍ 。材料带隙蓝移量与 Ｉ Ｆ Ｖ Ｄ 处理中的退火温度和退火时间有关，表面 Ｓｉ Ｏ２ 厚度亦有一定影响。延伸光腔波导损失较低，由此方法制作的分立电极激光器的阈值电流随延伸光腔部分所加的调制电流而变化，变化的阈值电流可从４０ ｍ Ａ 降至３０ ｍ Ａ。